A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
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A、主控項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格
B、一般項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格,當(dāng)采用計(jì)數(shù)檢驗(yàn)時(shí),除有專門要求外,一般項(xiàng)目的合格點(diǎn)率應(yīng)達(dá)到80%及以上,且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗(yàn)收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗(yàn)收記錄
A、施工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗(yàn)制度
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點(diǎn)數(shù)不宜多于1個(gè),測點(diǎn)數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強(qiáng)度
B、砂漿強(qiáng)度
C、抹灰強(qiáng)度
D、砌體強(qiáng)度
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
可用作硅片的研磨材料是()