A.檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測(cè)砌體抗剪強(qiáng)度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測(cè)砌體抗壓強(qiáng)度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測(cè)砌筑塊體抗壓強(qiáng)度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
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A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測(cè)工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測(cè)原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測(cè)情況
E.檢測(cè)環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見(jiàn)證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()