填空題當(dāng)在使用中對(duì)水泥質(zhì)量有懷疑或水泥出廠超過(guò)（）時(shí)，應(yīng)復(fù)查試驗(yàn)，并按復(fù)驗(yàn)結(jié)果使用。
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題