單項(xiàng)選擇題IGBT的3個(gè)引出電極分別是（）

A.陽極、陰極、門極
B.陽極、陰極   柵極
C.柵極、源極  漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極


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1.單項(xiàng)選擇題用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時(shí)，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

A.開路
B.短路
C.接線錯(cuò)誤
D.測量方法錯(cuò)誤

2.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿

3.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

4.單項(xiàng)選擇題電力晶體管在使用時(shí)，要防止（）。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時(shí)間久而失效
D.工作在開關(guān)狀態(tài)

5.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）是理想的（）控制器件。

A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率

6.單項(xiàng)選擇題功率晶體管（GTR）從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為（）。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至