在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。