在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

PN結(jié)的基本特性是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。