在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）