對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）