在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）