鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）