硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

PN結(jié)的基本特性是（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）