屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）