單項(xiàng)選擇題二極管的動(dòng)態(tài)電阻rd為（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
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1.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，實(shí)驗(yàn)電路伏特計(jì)所測(cè)量電壓為3V，則R值應(yīng)接近多少？（）（注：伏特計(jì)內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
2.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)
5.單項(xiàng)選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時(shí)，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
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