A.風(fēng)險(xiǎn)矩陣法
B.保護(hù)層分析法
C.校正的風(fēng)險(xiǎn)圖法
D.經(jīng)驗(yàn)法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.失效概率要求
B.硬件結(jié)構(gòu)約束要求
C.系統(tǒng)失效避免及控制要求
D.可靠性要求
A.要求時(shí)失效概率PFD 應(yīng)滿足既定SIL 要求
B.結(jié)構(gòu)約束應(yīng)滿足既定SIL 要求
C.檢驗(yàn)測(cè)試周期(Ti )應(yīng)滿足既定SIL 要求
D.宜根據(jù)企業(yè)要求計(jì)算誤停車率
A.SIF 應(yīng)基于危險(xiǎn)與風(fēng)險(xiǎn)分析情況確定
B.SIF 定義應(yīng)包括功能描述、設(shè)計(jì)意圖、檢測(cè)的危險(xiǎn)情況
C.根據(jù)SIF 失效的過(guò)程風(fēng)險(xiǎn),應(yīng)依據(jù)企業(yè)允許風(fēng)險(xiǎn)標(biāo)準(zhǔn)
D.SIL 分級(jí)宜采用保護(hù)層分析法(LOPA)
A.基本要求
B.應(yīng)用軟件組態(tài)及編程要求
C.測(cè)試、驗(yàn)收及驗(yàn)證
D.技術(shù)服務(wù)及系統(tǒng)集成設(shè)計(jì)要求
A.SIL1回路的檢測(cè)元件,可采用單一的檢測(cè)元件。
B.SIL2回路的檢測(cè)元件,宜采用冗余的檢測(cè)元件。
C.SIL3回路的檢測(cè)元件,應(yīng)采用冗余的檢測(cè)元件。
D.SIL4回路的檢測(cè)元件,宜采用冗余的檢測(cè)元件。
最新試題
以下哪種陶瓷的品質(zhì)因數(shù)相對(duì)較高()?
微波介質(zhì)陶瓷的介電損耗與溫度的關(guān)系通常是()。
微波介質(zhì)陶瓷的損耗與()。
以下哪種方法可以降低微波介質(zhì)陶瓷的諧振頻率溫度系數(shù)()?
品質(zhì)因數(shù)高的微波介質(zhì)陶瓷適用于()。
以下哪種材料不是微波介質(zhì)陶瓷的常用原料()?
微波介質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)與()。
微波介質(zhì)陶瓷的品質(zhì)因數(shù)在不同頻率下()。
微波介質(zhì)陶瓷的介電性能主要由()。
以下哪種因素會(huì)提高微波介質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)()?