問答題

一臺(tái)模擬機(jī)的數(shù)據(jù)通路如圖所示,其中ALU完成加、減、傳送(X)三種操作,MUX是三選一多路開關(guān),R1~R3是通用寄存器。RAM是雙端口存儲(chǔ)器,其中DRAM為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(CE1為讀寫使能,RD/WE#為讀/寫命令),IRAM為指令存儲(chǔ)器(只讀)。AR為數(shù)據(jù)地址存儲(chǔ)器,PC為程序計(jì)數(shù)器(具有自動(dòng)加1功能),IR為指令寄存器。所有的單箭頭為控制微命令。畫出存數(shù)指令“STA(R3),R2”的指令周期流程圖,標(biāo)明建立數(shù)據(jù)通路的微命令。PC中已存放指令地址,DRAM的數(shù)據(jù)地址由R3提供,寫入數(shù)據(jù)由R2提供。


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若I/O類指令采用獨(dú)立編址,對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是()。

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由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()

題型:單項(xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)的I/O接口是()之間的交接界面。

題型:單項(xiàng)選擇題

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲(chǔ)信息的。

題型:單項(xiàng)選擇題

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。

題型:單項(xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項(xiàng)選擇題

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計(jì)算D.數(shù)據(jù)計(jì)算E.控制器設(shè)計(jì)簡單F.控制器設(shè)計(jì)復(fù)雜(1)一個(gè)指令周期中,()是每一條指令都必須執(zhí)行的,所完成的功能對(duì)所有指令都相同。(2)一個(gè)指令周期中,()對(duì)多數(shù)指令所完成的功能是類似的。(3)一條指令在執(zhí)行過程中,一定要完成()并保存,以保證程序自動(dòng)連續(xù)執(zhí)行。(4)指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是()。(5)指令流水線方式是提高計(jì)算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施,但它的()。

題型:問答題

計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

()又稱為萬國碼,是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號(hào)的字符編碼方案。

題型:單項(xiàng)選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:單項(xiàng)選擇題