A.探頭偏角
B.探頭位置
C.工件形狀
D.探傷靈敏度
E.工件表面狀態(tài)
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A.回波脈沖的大小
B.回波脈沖的形狀
C.脈沖寬度
D.回波脈沖的強(qiáng)度
E.峰數(shù)
A.晶片
B.高頻線圈
C.阻尼塊
D.磁鐵
E.聲透鏡
A.永久磁鐵
B.直流電磁鐵
C.交流電磁鐵
D.脈沖電磁鐵
E.渦流電磁場(chǎng)
A.水浸平探頭
B.水浸橫波探頭
C.水浸表面波探頭
D.水浸斜探頭
E.水浸聚焦探頭
A.透鏡式聚焦
B.反射式聚焦
C.曲面晶片式聚焦
D.透射式聚焦
E.折射式聚焦
最新試題
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
超聲波檢測(cè)中如果被檢工件衰減嚴(yán)重,定量會(huì)受到影響。
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
衍射時(shí)差法對(duì)缺陷檢出率高,超聲波束覆蓋區(qū)域大,缺陷高度測(cè)量精確,實(shí)時(shí)成像,快速分析。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
對(duì)于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流,在外加磁場(chǎng)的作用下,在工件中形成超聲波波源。