A.水浸平探頭
B.水浸橫波探頭
C.水浸表面波探頭
D.水浸斜探頭
E.水浸聚焦探頭
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A.透鏡式聚焦
B.反射式聚焦
C.曲面晶片式聚焦
D.透射式聚焦
E.折射式聚焦
A.點(diǎn)狀形
B.球形
C.圓柱形
D.圓片形
E.條形
A.圓片形
B.球形
C.圓柱形
D.點(diǎn)狀形
E.條形
A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
最新試題
衍射時(shí)差法探傷,當(dāng)有缺陷存在時(shí),在直通波和底面反射波之間,接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
檢測(cè)曲面工件時(shí),探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面,因而其回波高于平底面,會(huì)使定量誤差增加。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí),不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷,其回波高相差不大。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。