動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專(zhuān)門(mén)的硬件寄存器，稱(chēng)為（），而寄存器堆棧則沒(méi)有。

已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱(chēng)為（）。

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪(fǎng)問(wèn)的寄存器。（4）CPU通過(guò)（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過(guò)（）把信息寫(xiě)入有關(guān)端口。

使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱(chēng)為（）