圖10-21所示電路的電容電壓uC(t)=(12e-2t+6e-3t)V,則電感電壓uL(t)等于()V。
A.32e-2t+21e-3t)
B.8e-2t+9e-3t)
C.-32e-2t-21e-3t)
D.-8e-2t-9e-3t)
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圖10-20所示電容元件的u(0)=0,i(t)=6A,則u(t)等于()V。
A.1-)
B.4(1-)
C.9(1-)
D.36(1-)
圖10-19所示電路中,7V電壓源吸收功率為()W。
A.14
B.-7
C.-14
D.7
圖10-18所示電路的等效電阻Rab應(yīng)為下列選項(xiàng)中的()Ω。
A.5
B.5.33
C.5.87
D.3.2
如圖10-16所示,L1=L2=10H,C=1000μF,M從0變至6H時(shí),諧振角頻率的變化范圍應(yīng)為()rad/S。
A.10~10/
B.0~∞
C.10~12.5
D.不能確定
圖10-15所示電路的戴維寧等效電路參數(shù)U和R應(yīng)為下列各組數(shù)值中的()。
A.3V,1.2Ω
B.3V,1Ω
C.4V,14Ω
D.36V,1.2Ω
最新試題
如圖10-79所示,一個(gè)直徑為1m的球形金屬接地極,深埋于電導(dǎo)率為σ=1.91×10-2S/m的土壤中,該接地極的接地電阻為()Ω。
如圖10-73所示,給平行板電容器加電壓V0,其極板上所受的電場力為()。
圖10-70所示電路的時(shí)間常數(shù)τ為()us。
半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
圖10-68所示電路在開關(guān)S閉合后的時(shí)間常數(shù)r值為()。
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動(dòng)R1上的滑動(dòng)觸點(diǎn),該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因?yàn)椋ǎ?/p>
以點(diǎn)電荷Q所在點(diǎn)為球心,距點(diǎn)電荷Q的距離R處的電場強(qiáng)度E:()。
如圖10-76所示,圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì),所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0,下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1,所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1,極板的間距為d,該電容器的電容量為()。
已知圖10-77中電容器極板間的距離為d,極板面積為S,ε1介質(zhì)厚度為d/2,則該電容器的電容應(yīng)為()。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球,其電荷體密度為ρ,帶電球內(nèi)的電場為()。