單項(xiàng)選擇題會(huì)出現(xiàn)一個(gè)地址選中兩個(gè)及以上存儲(chǔ)單元的譯碼方式是（）

A.全譯碼
B.部分譯碼
C.線選法
D.不存在的


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1.單項(xiàng)選擇題向Flash芯片中寫入數(shù)據(jù)的過程是（）

A.先執(zhí)行擦除操作，將芯片全寫1；再執(zhí)行編程操作，將需要的地方改與成0
B.先執(zhí)行擦除操作，將芯片全寫0；再執(zhí)行編程操作，將需要的地方改與成1
C.不需要擦除操作，可以直接對Flash芯片進(jìn)行0→1，或1→0的改寫操作
D.以上說法都不正確

2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)NAND Flash中出現(xiàn)壞塊時(shí)，正確的處理方法是（）

A.更換壞塊芯片
B.標(biāo)記壞塊，以后不再使用
C.備份壞塊中的數(shù)據(jù)
D.執(zhí)行壞塊修復(fù)程序

3.單項(xiàng)選擇題在嵌入式系統(tǒng)中，通常的Flash存儲(chǔ)器配置是（）

A.NOR Flash用于存儲(chǔ)小容量的啟動(dòng)代碼，NAND Flash用于存儲(chǔ)海量的數(shù)據(jù)信息
B.NAND Flash用于存儲(chǔ)小容量的啟動(dòng)代碼，NOR Flash用于存儲(chǔ)海量的數(shù)據(jù)信息
C.小容量的啟動(dòng)代碼和海量的數(shù)據(jù)信息都使用NAND Flash存儲(chǔ)
D.小容量的啟動(dòng)代碼和海量的數(shù)據(jù)信息都使用NOR Flash存儲(chǔ)

4.單項(xiàng)選擇題能夠進(jìn)行電可擦除的只讀存儲(chǔ)器是（）

A.ROM
B.PROM
C.EPROM
D.E2PROM

5.單項(xiàng)選擇題在存儲(chǔ)系統(tǒng)中，按工作速度和存儲(chǔ)容量正確的排序是（）

A.工作速度：寄存器＞Cache ＞主存＞輔存；存儲(chǔ)容量：寄存器＞Cache ＞主存＞輔存
B.工作速度：寄存器＞Cache ＞主存＞輔存；存儲(chǔ)容量：寄存器＜Cache ＜主存＜輔存
C.工作速度：寄存器＜Cache ＜主存＜輔存；存儲(chǔ)容量：寄存器＞Cache ＞主存＞輔存
D.工作速度：寄存器＜Cache ＜主存＜輔存；存儲(chǔ)容量：寄存器＜Cache ＜主存＜輔存