單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，要將直徑8英寸（約合20厘米）的晶圓盤（wafer）切削成3000粒小芯片（die）。目前由于工藝水平的限制，小芯片仍有約百分之一至二的不良率。在試生產(chǎn)了一段時(shí)間，生產(chǎn)初步達(dá)到了穩(wěn)定。為了檢測小芯片的不良率，在兩個(gè)月內(nèi)每天固定抽檢5個(gè)晶圓盤，測出不良小芯片總數(shù)，要根據(jù)這些數(shù)據(jù)建立控制圖，這時(shí)應(yīng)選用下列何種控制圖（）？

A、NP圖和P圖都可以，兩者效果一樣
B、NP圖和P圖都可以，NP圖效果更好NP樣本大小不變
C、NP圖和P圖都可以，P圖效果更好
D、以上都不對


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2.單項(xiàng)選擇題繪制均值-極差（或均值-標(biāo)準(zhǔn)差）控制圖時(shí)，確定合理子組的原則是（）

A.子組數(shù)量應(yīng)該在5個(gè)以下
B.組內(nèi)差異只由隨機(jī)變異組成
C.組內(nèi)差異應(yīng)大于組間差異
D.不存在組內(nèi)差異

3.單項(xiàng)選擇題某六西格瑪項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)擬采用DOE對工藝進(jìn)行優(yōu)化，分析后發(fā)現(xiàn)四個(gè)可控因素A、B、C、D對試驗(yàn)輸出Y產(chǎn)生影響，同時(shí)又有人提出不同的班次（有2個(gè)班）也可能有影響，但并不能確定是否班次真正有影響?，F(xiàn)在團(tuán)隊(duì)準(zhǔn)備準(zhǔn)備先安排一次全因子試驗(yàn)，下列哪種方案能在滿足于因子分析的條件下，使試驗(yàn)次數(shù)最少（）？

A.將A、B、C、D、班次作為5個(gè)因子，安排成25的全因子試驗(yàn)
B.將A、B、C、D作為因子，班組作為區(qū)組，安排成帶有2個(gè)區(qū)組的24的全因子試驗(yàn)
C.將A、B、C、D、4個(gè)因子取3個(gè)水平，班次為2個(gè)水平，安排成一般的全因子試驗(yàn)
D.在不同班次下分別安排4個(gè)因子的2水平全因子試驗(yàn)

4.單項(xiàng)選擇題某六西格瑪項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在改進(jìn)階段擬采用試驗(yàn)設(shè)計(jì)對工藝參數(shù)進(jìn)行篩選和優(yōu)化，影響因素為速度、壓力和溫度，輸出為反應(yīng)率。有些工程師同時(shí)懷疑影響因素與反應(yīng)率之間可能存在二次曲線關(guān)系，同時(shí)可能存在兩因素的交互作用。在采用什么試驗(yàn)設(shè)計(jì)方案方面有不同意見，以下正確的是（）

A.先安排兩水平的全因子試驗(yàn)，根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果確定是否增加軸向點(diǎn)設(shè)計(jì)響應(yīng)曲面試驗(yàn)或確定最速上升方向
B.安排三水平的全因子試驗(yàn)，一次就可以找到最優(yōu)點(diǎn)
C.安排四水平以上的全因子試驗(yàn)設(shè)計(jì)，可以擬合出更為復(fù)雜的函數(shù)關(guān)系
D.對每個(gè)因素設(shè)定若干水平（如10水平），固定其他因素，一次改變一個(gè)因素，最終就可以找到最優(yōu)參數(shù)