處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。