單項選擇題水泥生料的主要原料不包括（）。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
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1.單項選擇題陶瓷的主要原料包括（）。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
2.單項選擇題陶瓷?；纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
3.單項選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是（）。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
4.單項選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括（）。
A、溫度和反應(yīng)時間
Ｂ、生料的細度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
5.單項選擇題（）一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
Ｃ、隧道窯
D、立波爾窯
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題