單項選擇題陶瓷的主要原料包括（）。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
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1.單項選擇題陶瓷?；纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
2.單項選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是（）。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
3.單項選擇題在硅酸鹽水泥熟料的煅燒中固相反應(yīng)影響因素不包括（）。
A、溫度和反應(yīng)時間
Ｂ、生料的細度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
4.單項選擇題（）一般不用于水泥生產(chǎn)。
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
Ｃ、隧道窯
D、立波爾窯
5.單項選擇題不屬于高溫加工過程中的三種方式的是（）。
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題