一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。