單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
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1.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
2.單項(xiàng)選擇題水泥生料的主要原料不包括()。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
3.單項(xiàng)選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
4.單項(xiàng)選擇題陶瓷?;纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
5.單項(xiàng)選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題