單項(xiàng)選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括（）
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
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1.單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
2.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中，加入過量會(huì)使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
3.單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應(yīng)當(dāng)相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
4.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
5.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題