單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法


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1.單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

4.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

5.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法