多項(xiàng)選擇題使用功率MOSFET時(shí)要注意()。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)


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1.多項(xiàng)選擇題功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是()。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

2.多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過(guò)電流保護(hù)的理想器件,具有()優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流,反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快

3.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有()形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

4.多項(xiàng)選擇題以下集成電路()是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

5.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過(guò)電流保護(hù)有()方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

最新試題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。

題型:判斷題

所謂異步時(shí)序邏輯電路,是指電路中所有的觸發(fā)器,具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用,因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。

題型:判斷題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

下列受時(shí)鐘控制的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題