單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
2.單項(xiàng)選擇題在我國(guó)通常稱為工業(yè)硅或冶金級(jí)硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
3.單項(xiàng)選擇題晶體的生長(zhǎng)方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長(zhǎng)
B.液相生長(zhǎng)
C.氣相生長(zhǎng)
4.單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
5.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題