單項(xiàng)選擇題如何從石英砂制取硅?說(shuō)明從石英到單晶硅的工藝的簡(jiǎn)要框圖正確的是()

A、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)
B、加料—→熔化—→縮頸生長(zhǎng)—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
C、加料—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→放肩生長(zhǎng)—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)
D、加料—→放肩生長(zhǎng)—→縮頸生長(zhǎng)—→熔化—→尾部生長(zhǎng)—→等徑生長(zhǎng)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于晶體下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

A.調(diào)整晶體生長(zhǎng)的熱系統(tǒng),使熱場(chǎng)的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù),例如對(duì)于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值

2.單項(xiàng)選擇題硅片制備主要工藝流程是()

A.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B.單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測(cè)→打包
D.單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包

3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品不包括()①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

4.單項(xiàng)選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是()

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗

5.單項(xiàng)選擇題對(duì)于鑄造多晶硅氧濃度越(),鈍化效果越(),少數(shù)載流子壽命增加越()

A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多

最新試題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為()

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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

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可用作硅片的研磨材料是()

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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

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如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

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表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題