單項選擇題半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
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1.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
2.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
3.單項選擇題正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是（）
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
4.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、3
B、5
C、4
D、2
5.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西門子改良法5、冶金法6、氣液沉淀法7、重摻硅廢料提純法
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題