A.輸出高低電平理想
B.電源適用范圍寬
C.抗干擾能力強(qiáng)
D.電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)
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A.74HC
B.74HCT
C.54HC
D.4000B
A.接入關(guān)門電阻
B.接入開門電阻
C.接入濾波電容
D.降低供電電壓
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
A.接邏輯“1”
B.接邏輯“0”
C.接2.4V電壓
D.邏輯不定
A.3kΩ
B.2kΩ
C.700Ω
D.300Ω
A.固定接0
B.固定接1
C.同時(shí)使能
D.分時(shí)使能
A.異或門
B.OC門
C.TS門
D.與或非門
A.30
B.20
C.15
D.10
A.200uA
B.400uA
C.800uA
D.1000uA
A.20uA
B.40uA
C.1.6mA
D.16mA
最新試題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請說明理由。
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是（）