單項(xiàng)選擇題如果晶體三極管的(),則該管工作于飽和區(qū)。
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
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1.單項(xiàng)選擇題硅二極管導(dǎo)通和截止的條件是()。
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
2.單項(xiàng)選擇題邏輯函數(shù)與⊙滿足()關(guān)系。
A.互非
B.對偶
C.相等
D.無任何關(guān)系
3.單項(xiàng)選擇題取樣—保持器按一定取樣周期把時(shí)域上連續(xù)變化的信號變?yōu)闀r(shí)域上()信號。
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
4.單項(xiàng)選擇題雙積分A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換時(shí)間大約在()的范圍內(nèi)。
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
5.單項(xiàng)選擇題逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換時(shí)間大約在()的范圍內(nèi)。
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒
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DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
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如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
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TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
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7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
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27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
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