A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
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A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對偶
C.相等
D.無任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒
最新試題
電可擦除的PROM器件是()
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個()。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
以下哪個編碼不能是二-十進制譯碼器的輸入編碼()
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
一個兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時,輸出不是1的門電路為()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。