多項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)由（）組成。

A.輸入級(jí)
B.放大級(jí)
C.中間級(jí)
D.輸出級(jí)


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1.多項(xiàng)選擇題TTL與非門(mén)輸入級(jí)的多發(fā)射三極管可完成（）。

A.與非邏輯功能
B.與邏輯功能
C.提高電路的開(kāi)關(guān)速度
D.降低電路的開(kāi)關(guān)速度

2.多項(xiàng)選擇題可以改善三極管的開(kāi)關(guān)特性和提高開(kāi)關(guān)速度的途徑有（）。

A.設(shè)計(jì)合理的外電路（抗飽和電路）
B.加大UBE
C.選擇開(kāi)關(guān)時(shí)間較小的管子
D.減小UBE

3.多項(xiàng)選擇題下列器件屬于TTL集成門(mén)電路的是（）

A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017

4.多項(xiàng)選擇題TTL集成門(mén)電路輸出級(jí)一般采用（）輸出形式。

A.集電極開(kāi)路
B.三態(tài)門(mén)輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出

6.多項(xiàng)選擇題對(duì)TTL或門(mén)多余輸入端的處理，正確的是（）

A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)

7.多項(xiàng)選擇題對(duì)TTL與門(mén)多余輸入端的處理，正確的是（）

A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)

8.多項(xiàng)選擇題與TTL電路相比，CMOS電路的特點(diǎn)是（）

A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)

9.多項(xiàng)選擇題CMOS數(shù)字集成電路與TTL數(shù)字集成電路相比突出的優(yōu)點(diǎn)是（）。

A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬

10.多項(xiàng)選擇題三極管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，要提高開(kāi)關(guān)速度，可（）。

A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管

最新試題

利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門(mén)，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線(xiàn)譯碼器。

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兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。

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7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

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27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

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TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是（）

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