單項(xiàng)選擇題為了降低電力晶體管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損耗，提高系統(tǒng)的安全可靠性，必須采用合理的（）驅(qū)動(dòng)電。

A、基極
B、集電極
C、柵極
D、發(fā)射極


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1.單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡(jiǎn)稱（）。

A、MOSFET
B、IGBT
C、GTR
D、GTO

2.單項(xiàng)選擇題TTL集成邏輯門電路內(nèi)部是以（）為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.單項(xiàng)選擇題CMSO集成邏輯門電路內(nèi)部是以（）為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

4.單項(xiàng)選擇題磁路基爾霍夫磁通定律中，穿過(guò)閉合的磁通的代數(shù)和必為（）。

A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大

5.單項(xiàng)選擇題線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小正比于穿過(guò)線圈的（）。

A、磁通量的變化量
B、磁通量的變化率
C、磁通量的大小
D、磁通量的方向