A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.光致核反應(yīng)
D.電子對(duì)效應(yīng)
E.核聚變效應(yīng)
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A.高能電子線
B.高能X射線
C.192銥產(chǎn)生的射線
D.60鈷產(chǎn)生的射線
E.3mmCuHVLX線
A.高能X線垂直對(duì)穿
B.電子束切線照射
C.電子束照射
D.深部X線垂直照射
E.深部X線切線照射
A.源皮距大,百分深度量高
B.源皮距大,百分深度量低
C.源皮距對(duì)百分深度量無影響
D.源皮距與百分深度量關(guān)系無規(guī)律可言
E.源皮距與百分深度量關(guān)系為平方反比定律
60鈷治療時(shí),骨和軟組織吸收劑量()
A.骨大于軟組織
B.軟組織稍微大于骨
C.無規(guī)律可言
D.兩者相等
E.隨治療源皮距而變
A.劑量曲線具有Bragg峰
B.氧增強(qiáng)比低
C.對(duì)細(xì)胞生長周期依賴小
D.亞致死損傷修復(fù)低
E.經(jīng)濟(jì),實(shí)用
最新試題
4MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()
全擋塊一般需要半價(jià)層個(gè)數(shù)是()
60鈷射線全擋所需要的低熔點(diǎn)鉛的厚度約為()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)描述錯(cuò)誤的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)結(jié)構(gòu)描述錯(cuò)誤的是()
下列有關(guān)DRR描述中不正確的是()
6MeV電子束穿射5%所需LML的厚度是()
2D計(jì)劃系統(tǒng)的局限性包括()
半擋板一般需要半價(jià)層的個(gè)數(shù)為()