刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）