單項選擇題以下全控型電力電子器件中通過電流最大的是（）。

A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管


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1.單項選擇題以下不是防止MOSFET被靜電擊穿的措施的是（）。

A.將電路存放在靜電包裝袋
B.焊接時電烙鐵應(yīng)斷電
C.測試儀器必須良好接地
D.用手直接將MOSFET放到測試臺上

2.單項選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應(yīng)的原因是（）。

A.集電極電流過大
B.電壓上升率過大
C.溫度升高
D.電源電壓過低

3.單項選擇題以下不是IGBT的管腳名稱的是（）。

A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門極

4.單項選擇題以下不是IGBT的工作區(qū)域的是（）。

A.正向阻斷區(qū)
B.有源區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

5.單項選擇題以下不是MOSFET的管腳名稱的是（）。

A.柵極
B.漏極
C.源極
D.基極

6.單項選擇題以下不是MOSFET的工作區(qū)域的是（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.非飽和區(qū)
D.飽和區(qū)

7.單項選擇題以下不是GTR的管腳名稱的是（）。

A.陽極
B.發(fā)射極
C.基極
D.集電極極

8.單項選擇題以下不是GTR的工作區(qū)域的是（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

9.單項選擇題以下哪個不是常用的交流調(diào)壓方式？（）

A.通斷控制
B.移相控制
C.斬波控制
D.逆變控制

10.單項選擇題以下哪個不是電壓型逆變電路的特點？（）

A.直流側(cè)串聯(lián)大電感
B.輸出電壓為矩形波
C.直流側(cè)并聯(lián)大電容
D.晶閘管兩端需要并聯(lián)二極管

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