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問(wèn)答題為什么PN結(jié)探測(cè)器結(jié)區(qū)不能做得很厚？這個(gè)缺點(diǎn)帶來(lái)了什么問(wèn)題？

參考答案： 因?yàn)镾i材料的摻雜濃度無(wú)法做得很小，因此同樣反向電壓下，結(jié)區(qū)的厚度不大，僅為mm量級(jí)。雖然可以通過(guò)提高反向電壓來(lái)增大厚度...

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1.問(wèn)答題增加金硅面壘探測(cè)器的反向電壓，會(huì)有什么好處，又會(huì)有什么壞處？應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大小？好處是

增大靈敏體積，減小結(jié)電容（電容噪聲?。?；
壞處是反向電流會(huì)增大；
反向電壓有一個(gè)最優(yōu)值，此時(shí)能量分辨率最好。

2.問(wèn)答題在影響半導(dǎo)體探測(cè)器分辨率的各項(xiàng)因素中，電荷靈敏前置放大器的噪聲也是重要的一項(xiàng)。什么是零電容噪聲，什么是噪聲斜率？如果零電容噪聲為1keV，噪聲斜率為0.03keV/pf，現(xiàn)知道由前放造成的能量展寬為7keV，哪么探測(cè)器的電容是多大？

參考答案：

200pf

3.問(wèn)答題綜合考慮各項(xiàng)因素對(duì)能量分辨率的影響之后，我們將得到一個(gè)總的能量展寬ΔE。各分項(xiàng)因素的貢獻(xiàn)ΔE1，ΔE2，ΔEi等與ΔE之間存在什么關(guān)系？

參考答案：

它們之間是平方和關(guān)系

4.問(wèn)答題要實(shí)現(xiàn)這么好的能量分辨率，勢(shì)必要考慮其它因素對(duì)能量分辨率的“敗壞”問(wèn)題，有什么因素會(huì)使金硅面壘探測(cè)器測(cè)量到的能量分辨率變差呢？

參考答案：探測(cè)器的噪聲信號(hào)；
電子學(xué)的噪聲；
入射窗的影響；
載流子的陷落與復(fù)合。

5.問(wèn)答題就統(tǒng)計(jì)學(xué)特性而言，PN結(jié)探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)很好的分辨率。如果只考慮統(tǒng)計(jì)漲落問(wèn)題，一個(gè)5.486MeV的α粒子在金硅面壘探測(cè)器中的能量分辨率是多少？

參考答案：

～4keV