硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

光生伏特效應(yīng)

光電導(dǎo)效應(yīng)

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

等離子體