當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

本征吸收

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

激活劑

非本征光電導(dǎo)

猝滅劑