一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

光電導(dǎo)效應(yīng)

本征吸收

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

猝滅劑

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。