PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。

猝滅劑

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

內(nèi)光電效應(yīng)

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。