光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應用于（）的情況。

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

半導體中的價帶空穴電流其實就是導帶電子電流的一種等價說法。

PMOS的基底是p型半導體，所以叫PMOS。

猝滅劑

內(nèi)光電效應

本征吸收

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。