半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

磁滯回線

本征吸收

陰極射線致發(fā)光

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。