問(wèn)答題測(cè)試的一般要求。
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1.問(wèn)答題IIH/IIL集體測(cè)試法優(yōu)缺點(diǎn)。
2.問(wèn)答題IIL串行測(cè)試方法。
3.問(wèn)答題VOH/IOH靜態(tài)測(cè)試方法。
4.問(wèn)答題IDD靜態(tài)電流測(cè)試方法。
5.問(wèn)答題Open-short功能測(cè)試優(yōu)缺點(diǎn)。
最新試題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
題型：判斷題
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
題型：判斷題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
等離子體
題型：名詞解釋
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
磁滯回線
題型：名詞解釋
非本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋