PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

光生伏特效應(yīng)

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

本征光電導(dǎo)