所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達到了14nm量級

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導體相互接觸而形成的。

XPS只能檢測元素種類，無法標定元素含量。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

光生伏特效應

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOSFET開關的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導電溝道的通斷。

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應用于（）的情況。